RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3673
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link