RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2714
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link