RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2915
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link