RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
59
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2281
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link