RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2396
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link