RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
68
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
68
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2007
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link