RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2946
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link