RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
1,771.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
3200
Wokół strony 2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
59
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
59
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
3,657.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
1,771.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
3200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
581
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link