RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3327
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link