RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
59
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
58
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1968
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link