RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3935
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link