RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2712
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link