RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2432
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link