RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
62
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1891
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link