RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3273
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link