RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3413
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link