RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3568
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link