RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2882
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link