RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
69
Wokół strony -331% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
16
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3906
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link