RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2496
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link