RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2206
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link