RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2960
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link