RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2046
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link