RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
69
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1586
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link