RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3675
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link