RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
58
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2991
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link