RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
58
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3115
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link