RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2902
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link