RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2326
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link