Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    58 left arrow 76
    Wokół strony 24% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 1,950.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    58 left arrow 76
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,241.0 left arrow 15.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,950.7 left arrow 7.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    651 left arrow 1859
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania