RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2346
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link