RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2874
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link