RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
66
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2122
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link