RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3204
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link