RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3521
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link