RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2957
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link