RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
60
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2129
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link