RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link