RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3087
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Mushkin 991586 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link