RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2543
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link