RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3188
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link