RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3576
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link