RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3257
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link