RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2186
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link