RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
47
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
47
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2362
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link