RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3961
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link