RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2892
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link