RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3215
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link