RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3477
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link