RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
71
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1631
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link